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Elaboration des Nitrures de Gallium avec traitement Si/N: Application aux Diodes Electroluminescentes (Omn.Univ.Europ.)

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Elaboration des Nitrures de Gallium avec traitement Si/N: Application aux Diodes Electroluminescentes (Omn.Univ.Europ.)

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    Zohra Benzarti(Author)
Le traitement Si/N, lors de l'élaboration du GaN à haute température et à pression atmosphérique par Epitaxie en Phase Vapeur par pyrolyse d'OrganoMétalliques (EPVOM), améliore nettement la qualité morphologique,électrique, structurale et optique. Le mode de croissance observé est un passage de 3D à 2D au cours de l'épaississement de la couche de GaN. Par la suite un dopage de typep et n dans GaN est réalisé en utilisant respectivement le magnésium et le silicium, conduisant ainsi à une homojonction p/n pour fabriquer une diode électroluminescente bleue. Pour augmenter son rendement optique, une intercalation de puits quantiques InGaN est effectuée.

Docteur en physique des matériaux semi-conducteurs. Elle a soutenu sa thèse de doctorat en 2006 à l'université ElManar II de Tunis. Elle enseigne à la faculté des sciences de Monastir-Tunisie. Ses travaux de recherche se focalisent sur l'élaboration des semi-conducteurs III-V appliqués aux dispositifs optoélectroniques.

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  • PDF | 160 pages
  • Zohra Benzarti(Author)
  • Editions universitaires europeennes (19 Oct. 2011)
  • French
  • 2
  • Poetry, Drama & Criticism
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